Доступно онлайн

  • Статьи 3759
  • Тома 11
  • Номера 120

Высокотемпературные материалы и технологии

УДК: 529.232

2015. - Т. 29. - № 7(166). - С. 65-67

Юрий Алекстандрович с Романов, Евгений Васильевич Жариков, Алексей Евгеньевич Ануров, Виктор Алексеевич Плясунов,

ВЛИЯНИЕ ШИРОТНО-ИМПУЛЬСНОЙ МОДУЛЯЦИИ НА РАВНОМЕРНОСТЬ ПОЛУЧАЕМЫХ ПЛЕНОК ДИОКСИДА КРЕМНИЯ

В статье рассмотрено применение широтно-импульсной модуляции (ШИМ) в процессе осаждения слоев диоксида кремния и зависимость равномерности получаемых пленок от параметров ШИМ. Пленки диоксида кремния толщиной до 500 нм, полученные в реакторе плазмохимического осаждения, после отжига не уступают по своим свойствам (пробивные напряжения и C-V характеристики) пленкам, полученным пиролитическим методом. Показатель преломления полученных пленок составил 1.43-1.45.

Скачать PDF

Первая страница статьи

ВЛИЯНИЕ ШИРОТНО-ИМПУЛЬСНОЙ МОДУЛЯЦИИ НА РАВНОМЕРНОСТЬ ПОЛУЧАЕМЫХ ПЛЕНОК ДИОКСИДА КРЕМНИЯ

Ссылки

  1. Н. Айнспрук, Д. Браун. Плазменная технология в производстве СБИС. - М.: Мир, 1987 - С.73-75
  2. Viana, C.E. Annealing effects in the PECVD SiO2 thin films deposited using TEOS, Ar and O2 mixture. / C.E. Viana, N.I. Morimoto, O. Bonnaud// Microelectronics Reliability - 2000. № 40. - P. 613-616.

Ключевые слова

dielectric   microelectronics   plasma enhanced chemical vapor deposition   pulse-width modulation   silicon dioxide   uniformity of dielectric films   диоксид кремния   диэлектрик   микроэлектроника   плазмоактивированное химическое осаждение из газовой фазы   равномерность диэлектрических пленок   широтно-импульсная модуляция  


Индексирование журнала

  • Elibrary.ru
  • Винити

Наши друзья

  • Фонд "Научная перспектива"
  • Минобрнауки
  • РХО им. Д.И. Менделеева