Доступно онлайн

  • Статьи 3759
  • Тома 11
  • Номера 120

Химическая технология неорганических веществ и электрохимических производств

УДК: 544.022.347.3:548.4 546.22/.24: 546.24: 546.47/.49

2010. - Т. 24. - № 9(114). - С. 101-105

И.Х. Аветисов, Е.Н. Можевитина,

ПРОБЛЕМА ПОЛИМОРФНОГО ПЕРЕХОДА В НЕСТЕХИОМЕТРИЧЕСКОМ ТЕЛЛУРИДЕ КАДМИЯ

В интервале температур 1271-1354 К вблизи максимальной температуры плавления определены границы области гомогенности CdTe прямым физико-химическим методом. Характер линии солидус указывает на наличие полиморфного перехода. На основании полученных данных и данных литературы предложен вид полиморфного перехода, который позволяет объяснить эффект микропреципитации теллура при выращивании кристаллов CdTe из «стехиометрических» расплавов.

Скачать PDF

Первая страница статьи

ПРОБЛЕМА ПОЛИМОРФНОГО ПЕРЕХОДА В НЕСТЕХИОМЕТРИЧЕСКОМ ТЕЛЛУРИДЕ КАДМИЯ

Ссылки

  1. Comparison of HgI2, CdTe and Si (p-i-n) X-ray detectors /J.S. Iwanczyk, B.E. Patt, Y.J. Wang, A.K. Khusainov // Nuclear instruments and methods in Phys. Res. Sec. A, 1996. V. 380. P. 186
  2. Детекторы Xи.-излучений на основе монокристаллов CdTe и CdZnTe Д.В. Корбутяк, Е.Ф. Венгер, С.Г. Крылюк [и др.]; // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2001. Т. 36. С. 5
  3. Физика и химия соединений AIIBVI. / Под редакцией С.А. Медведева. М.: Мир, 1970. 525c.
  4. Перспективы разработки методов определения отклонений от стехиометрии /И.Х. Аветисов // Материалы электронной техники. Изв.ВУЗов, 2008. № 3. С. 1
  5. Масс-спектрометрическое исследование процесса испарения CdS, CdSe и CdTe /Ю.М. Иванов, А.В. Ванюков // Электрон. Техн. Сер. Материалы, 1967. Вып. 4. С. 36
  6. Проблемы полиморфных переходов в CdTe /И.Х. Аветисов, Ю.М. Иванов, А.В. Зорин // Поверхность. Рентгеновские синхронные и нейтронные исследования, 2001. № 10. С. 82
  7. Influence of growth parameters on CdTe low temperature thermal conductivity /J. Jouglar, C. Hitroit, P.L. Vuillermoz, R. Triboulet // J.Appl.Phys., 1980. V.51. № 6. P. 3171
  8. Growth and homogeneity region of CdTe /Yu.M. Ivanov // J.Crys.Growth, 1996. V. 161. P. 12
  9. Cadmium Telluride // Semiconductors and semimetals/ K. Peters, A. Wenzel, P. Rudolph, K.R. Zanio. New York, 1978. V. 13. P.1
  10. Тензиметрическое сканирование отклонений от стехиометрии в теллуриде кадмия /Я.Х. Гринберг, В.Н. Гуськов, В.Б. Лазарев [и др.]; // Изв. АН СССР. Неорг.материалы, 1990. Т. 26. № 9. С.1839
  11. О природе точечных дефектов в нелегированном CdTe /С.А. Медведев, С.Н. Максимовский, К.В. Киселёва [и др.]; // Изв. АН СССР. Неорганические материалы, 1973. Т. 9. № 3. С. 3560
  12. Chemical self diffusion in CdTe /S.S. Chern, F.A. Kreger // J.Solid State Chem., 1975. V. 14. № 3. P. 299
  13. Нестехиометрия теллурида кадмия, насыщенного кадмием /Я.Л. Хариф, Т.А. Струнилина, П.В. Ковтуненко // Известия АН СССР, сер. Неорган.матер., 1989. № 4. С. 571
  14. Phase Equilibria and Semiconducting Properties of Cadmium Telluride De Nobel D. // Philips Res. Rep.,1959. V. 14. № 4-5. P.361
  15. Курбакова Н.К. Взаимосвязь между условиями синтеза, нестехиометрией и свойствами полупроводникового теллурида кадмия: Дис…канд. хим. наук. М., 1992
  16. Струнилина Т.А. Нестехиометрия теллурида кадмия, обогащенного кадмием: Дис…. канд. хим. наук. М., 1988 17. The effects of Te precipitation on IR transmittance and crystalline quality of as-grown CdZnTe crystals /J. Zhu, X. Zhang, B. Li, J. Chu // IR Phys.Tech., 1999. V. 40. P. 411.

Индексирование журнала

  • Elibrary.ru
  • Винити

Наши друзья

  • Фонд "Научная перспектива"
  • Минобрнауки
  • РХО им. Д.И. Менделеева